Yn ôl adroddiadau cyfryngau tramor, mae peirianwyr o'r Sefydliad Technoleg Gwybodaeth Electronig (Leti), sy'n is-gwmni i'r Asiantaeth Ynni Atomig Ffrengig (CEA), yn honni y bydd eu dull newydd o gynhyrchu Micro LEDs yn chwyldroi cynhyrchu arddangosfeydd perfformiad uchel, gyda chyfredol Dyluniad LCDs ac ansawdd delwedd ardderchog ac effeithlonrwydd ynni o'i gymharu â LEDs organig (OLEDs).
Yn ddiweddar, cyflwynodd Francois Templier, cyfarwyddwr strategaeth farchnata Leti Photonics, broses weithgynhyrchu newydd sy'n cyfuno lled-ddargludyddion sy'n allyrru golau gyda chylchedau gyrrwr silicon yn wythnos arddangos y Gymdeithas Ryngwladol ar gyfer Arddangos Gwybodaeth (SID) yn San Jose, California.
Mae datblygu arddangosfeydd maint mawr sy'n galw am ddatrys delweddau uwch yn golygu bod angen dyfeisiau electronig cyflymach i yrru pob math o arddangosfeydd, gan gynnwys Micro masnachol newydd Samsung, sy'n cynnwys miliynau o allyrwyr picsel unigol. Fformat LED a chynhyrchion eraill.
Fodd bynnag, nid yw'r cylchedau gyrru presennol sy'n seiliedig ar ddyluniadau matrics transistor ffilm tenau (TFT) yn darparu'r gofynion cyfredol a chyflymder gofynnol. Mae'r dull newydd a ddatblygwyd gan Leti yn cynhyrchu arddangosiad Micro LED GaN uchel ei berfformiad sy'n cael ei yrru gan CMOS gyda phroses drosglwyddo symlach sy'n dileu'r angen am lwybr confensiynol TFT. Mae'r micro-LEDau coch, gwyrdd a glas yn cael eu pentyrru'n uniongyrchol ar y cylched micro CMOS cyn trosglwyddo pob uned i swbstrad derbyn syml, ac mae'r allyrwyr golau a'r backplane ar yr un pryd yn cael eu gwneud ar raddfa wafer ar linell brosesu lled-ddargludyddion unigol.
