Gwydr ITO Yn y ffilm ddargludol ocsid, mae'r ffilm Sn-doped In2O3 (ITO) yn cael y trosglwyddiad uchaf a'r cynhwysedd gorau, ac mae'n hawdd creu patrwm da yn yr hylif asid. Mae ei drosglwyddiad wedi cyrraedd mwy na 90%. Rheolir trosglwyddiad a gwrthiant ITO gan gymhareb In2O3 i Sn2O3, fel arfer SnO2: In2O3 = 1: 9.
Mae ITO yn lled-ddargludyddion ocsid N-fath-Indium Tin Oxide. Ffilm tenau ITO yw lled-ddargludyddion ffilm gynhwysol dryloyw ocsid tuniwm indwm. Fel arfer mae dau brif ddangosydd perfformiad: gwrthsefyll a throsglwyddiad ysgafn.
Ar hyn o bryd, mae gwrthsefyll ffilm ITO yn gyffredinol yn ymwneud â 5 * 10-4, yn ddelfrydol hyd at 5 * 10-5, sy'n agos at wrthsefyll metel. Mewn cymwysiadau ymarferol, caiff ymwrthedd y daflen ei ddefnyddio'n aml i nodweddu eiddo dargludol ITO. Gall y trosglwyddiad gyrraedd dros 90%. Rheolir trosglwyddiad a gwrthiant ffilm ITO gan gymhareb In2O3 a Sn2O3, yn y drefn honno. Gall cynyddu'r gymhareb o etriwm gynyddu trosglwyddiad ITO, fel arfer Sn2O3: In2O3 = 1: 9. Gan fod trwch y ocsid tun yn fwy na 200 Å, nid yw'r tryloywder fel arfer yn ddigon da er bod y dargludedd yn dda.
Mae gan ITO ïonau rhad ac am ddim ar yr wyneb ac mae'n dueddol o adweithiau redox a chywiro ITO pan gaiff ei bweru. Felly, nid oes rhaid i ni gyffwrdd electrod yr LCD â dwylo noeth oherwydd bod yr halogen (elfen cl) sydd wedi'i gynnwys mewn chwys dynol yn gelyn naturiol ITO.
